產(chǎn)品簡介
?失效分析漏電微光顯微鏡分析儀emmi電流異常定位漏點(diǎn)定位
公司簡介
IC失效分析 Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE
專業(yè)從事電子產(chǎn)品分析測試設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,以及國外**設(shè)備代理,探針臺probe 開封機(jī)decap 微光顯微鏡emmi 紅外顯微鏡 iv自動曲線量測儀 失效分析可靠性測試FIB,切割研磨機(jī)rie,電子顯微鏡sem等
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產(chǎn)品說明
失效分析漏電微光顯微鏡分析儀emmi電流異常定位漏點(diǎn)定位
主要用途
當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時,產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子,由探測器通過顯微鏡收集這些光子并地定位出其位置,通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。
性能參數(shù)
a)InGaAs檢測器,分辨率:320*256 像素;
b)偵測波長范圍900nm - 1700nm
c)像素尺寸:30um x 30um
d)曝光時間 20ms - 400s
e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x
f)Back side EMMI
應(yīng)用范圍
1.P-N接面漏電
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.P-N接面崩潰
4.閂鎖效應(yīng)
5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
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