ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二管的雪崩耐量。西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二管等功率型器件、IGBT、MOSFET

西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū)，是陜西省政府重點支持的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導體封裝、測試設(shè)備?，F(xiàn)已成為國內(nèi)電力電子行業(yè)知名的測試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機車半導體測試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導，在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動IGBT參數(shù)測試系統(tǒng)、功率器件圖示系統(tǒng)、集成電路測試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、軍工、高校等諸多領(lǐng)域。
完善的基礎(chǔ)設(shè)施和人才隊伍一直是企業(yè)強化建設(shè)的重點。公司設(shè)有測試實驗室，調(diào)試中心，產(chǎn)品研發(fā)中心，服務(wù)團隊等多個技研服務(wù)部門，以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的40%，碩士學歷以上人員占75%，專業(yè)技術(shù)人員占比超過66%，成員大多來自航天、航空、半導體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的資深人士。公司通過了質(zhì)量體系ISO9000認證及陜西省軟件企業(yè)認定，承擔國家科技部創(chuàng)新基金項目等，目前獲得發(fā)明4項，實用新型15項，軟件著作權(quán)3項。

廠商直供雪崩耐量測試儀

ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)

概述

向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用場合，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二管功率型器件保護電路、計算機控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環(huán)境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺    寸：800x800x1800mm

質(zhì)    量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

系統(tǒng)功耗：320W

通信接口：USB RS232

技術(shù)指標

配置	測試范圍	測試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 緣柵雙型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應(yīng)管	EAR/重復脈沖雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負載	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重復間隙時間	1-60s可調(diào)（步進1s）重復次數(shù)：1-50次

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