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HUSTEC-1600A-MT igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀華科智源

深圳市華科智源科技有限公司

會員指數(shù)：

企業(yè)認(rèn)證：

價格：電議

所在地：廣東

型號：HUSTEC-1600A-MT

更新時間：2023-11-01

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公司地址：深圳市寶安區(qū)航城街道鶴洲社區(qū)洲石路739號恒豐工業(yè)城C棟816

13117127211 陳先生(先生)

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產(chǎn)品簡介

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀華科智源是一款大功率器件參數(shù)測試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。

公司簡介

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事儀器儀表代理的綜合性服務(wù)公司,于2010年在深圳注冊成立，目前已經(jīng)成為國內(nèi)的儀器經(jīng)銷商，系統(tǒng)集成商和綜合服務(wù)商之一。深圳市華科智源科技有限公司的客戶涉及工業(yè)電子制造、通信及信息技術(shù)、教育科研、航空航天、微電子、新能源、生物醫(yī)藥、節(jié)能環(huán)保等行業(yè)和領(lǐng)域，通過與、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等知名廠商的合作，為客戶提供產(chǎn)品增值銷售、應(yīng)用系統(tǒng)集成、科技租賃、計量校準(zhǔn)、維修維護(hù)等綜合服務(wù)。深圳市華科智源科技有限公司，,主要研發(fā)生產(chǎn)的設(shè)備有SMT首件檢測儀，首件檢測系統(tǒng)，SMT首件測試儀，ITC57300,半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試儀，ITC55100等高端測試產(chǎn)品及測試系統(tǒng)。深圳市華科智源科技有限公司一貫堅持“可靠的產(chǎn)品，優(yōu)質(zhì)的服務(wù)”的經(jīng)營方針，結(jié)合市場變化和客戶要求，華科智源致力于同客戶建立長期的合作伙伴關(guān)系，為客戶提供“需求分析、產(chǎn)品選型、人員培訓(xùn)和售后服務(wù)”等一條龍完善服務(wù)，贏得了生產(chǎn)廠商和用戶的廣泛好評。深圳市華科智源科技有限公司將秉持迅速、可靠、專業(yè)的態(tài)度永續(xù)經(jīng)營，以提供實時有效的服務(wù)為終目標(biāo)。

展開

產(chǎn)品說明

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀華科智源

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀華科智源
產(chǎn)品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級到3KA/10KV.

VGE可達(dá)±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；

采用插槽式設(shè)計結(jié)構(gòu)，便于升級和維護(hù)；

設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，

自動進(jìn)行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度

支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；同一規(guī)格型號，不同批次的產(chǎn)品曲線對比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對比

開放通訊接口，可以連接探針臺做wafer / chip 測試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測試,

測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件，WORD報告

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀華科智源
技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications

技術(shù)指標(biāo)
★	3.4	VGE(th)柵極閾值電壓	VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
	3.5	VGE(th) 測試條件與精度	集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；
★	3.6	VCES集射極截止電壓	VCES：0-5000V±1%±2V；
	3.7	VCES 測試條件與精度	集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
★	3.8	ICES集射極截止電流	集電極電流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
	3.9	ICES 測試條件與精度	集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V；
★	3.10	VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降	集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V
	3.11	VCE(sat) 測試條件與精度	柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A；
★	3.12	Iges柵極漏電流	柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA
	3.13	Iges測試條件與精度	柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V；
★	3.14	VF正向特性測試	二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V
	3.15	VF正向特性測試測試條件與精度	電流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；

本頁產(chǎn)品地址：http://18bearing.com/sell/show-9011675.html

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