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價格:電議
所在地:四川 綿陽市
型號:梓冠
更新時間:2024-08-27
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公司地址:四川省綿陽市經(jīng)開區(qū)積家工業(yè)園2號樓4H-F
陳女士(女士)
簡介
具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應(yīng)速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級,達(dá)到100ns級,使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求,極高的集成度有助于大幅度減小模塊尺寸,純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備卓越的可靠性。
特性 應(yīng)用
100ns級高速響應(yīng) 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調(diào)制
全固態(tài)波導(dǎo)芯片
超低光損耗
主要指標(biāo)(典型值)
性能指標(biāo) |
單位 |
吸收型 |
備注 |
工作波長 |
nm |
1525~1565 |
|
響應(yīng)時間 |
ns |
100-300 |
|
插入損耗 |
dB |
1.2 |
光纖進(jìn)到光纖出的損耗 |
衰減范圍 |
dB |
25 |
|
偏振相關(guān)性 |
dB |
≤0.3 |
@0dB衰減時 |
≤0.5 |
@0~25dB衰減時 |
||
功耗(@18dB衰減) |
mW |
150 |
隨衰減量增大而增大 |
電壓 |
V |
1.2 |
|
電流 |
mA |
0-35 |
|
集成度 |
/ |
6CH/48CH |
|