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GW-JDZK高溫介電溫譜阻抗分析儀(溫度:1000℃,頻率:10HZ-20MHZ)提供頻率(10 Hz 至20MHz),可在不同測量條件下進(jìn)行高速連續(xù)測量。其等效電路分析功能支持7種不同的參數(shù)模型(三組件、四組件),可協(xié)助客戶仿真組件的等效參數(shù)值。并支持...
GW-JDZK高溫介電溫譜阻抗分析儀(溫度:-160℃1000℃,頻率:10HZ-20MHZ)
GW-JDZK高溫介電溫譜阻抗分析儀(溫度:1000℃,頻率:10HZ-20MHZ)提供頻率(10 Hz 至20MHz),可在不同測量條件下進(jìn)行高速連續(xù)測量。其等效電路分析功能支持7種不同的參數(shù)模型(三組件、四組件),可協(xié)助客戶仿真組件的等效參數(shù)值。并支持RS232、 USB 、LAN和 GPIB PC聯(lián)機能力。
支持各式各樣的測試治具與配件,例如可搭配介電系數(shù)治具,減少產(chǎn)品不良的情況發(fā)生,導(dǎo)磁系數(shù)治具,各種環(huán)形磁芯或鐵氧體磁芯及電磁屏蔽涂層材料的導(dǎo)磁系數(shù)量測,和懸臂治具,各種尺寸貼片組件或電路板上組件阻抗量測。讓量測步驟變得更為簡易及快速。量測度及多功能性為種不同類型的工作和應(yīng)用程序,用戶包括半導(dǎo)體、組件廠商、研發(fā)單位、進(jìn)料檢驗、實驗室、學(xué)生。
主要應(yīng)用范圍:
1、半導(dǎo)體元件:LED驅(qū)動集成電路寄生參數(shù)測試分析;變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析
2、介質(zhì)材料:塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評估
3、半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性
4、液晶單元:介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性
二、主要參數(shù)
包括:諧振頻率Fs、反諧振頻率Fp、半功率點F1與F2、最大導(dǎo)納Gmax、靜電容C0、動態(tài)電抗R1、動態(tài)電容C1、動態(tài)電感L1、自由電容CT、自由介電常數(shù)、機械品質(zhì)因素Qm、機電耦合系數(shù)Keff、Kp、K31、K33等,并可以繪制壓電器件的五種特性曲線(導(dǎo)納特性圖、阻抗特性圖、導(dǎo)納極坐標(biāo)圖、阻抗極坐標(biāo)圖、對數(shù)坐標(biāo)圖)。
諧振頻率Fs:壓電振子等效電路中串聯(lián)支路的諧振頻率,在這個頻率下,壓電振子的阻抗最小。
反諧振頻率Fp:壓電振子并聯(lián)支路的諧振頻率,在這個頻率下,壓電振子的阻抗Zmax最大。
半功率點F1與F2:從導(dǎo)納圓上看,導(dǎo)納實部等于Gmax/2處的頻率,這樣的頻率有兩個,大于Fs的為F2,小于Fs的為F1。
最大電導(dǎo)Gmax:壓電振子諧振時的導(dǎo)納值的實部,即“Fs”處的導(dǎo)納實部。
自由電容CT:壓電器件在1kHz頻率下的電容值。此值和數(shù)字電橋測得的值是一致的。這個值減掉動態(tài)電容C1就可以得到真正的靜電容C0,使用時要以電感對C0進(jìn)行平衡。在超聲電源的電路設(shè)計中,正確地平衡C0可以提高電源的功率因素。
主要技術(shù)參數(shù):
頻率范圍: 10Hz-20MHz
溫度:-160℃-1000℃
信號源位準(zhǔn): 10mV ~ 2V / 200μA ~ 20mA
基本阻抗量測精度:±0.05%
自動電平控制:(ALC)功能
輸出阻抗:25Ω/100Ω可切換
性價比最高:除基本量測及繪圖分析功能,更支持介電及導(dǎo)磁系數(shù)量測
開路/短路/負(fù)載校正功能
電表模式下最多可選擇四個組件參數(shù):,電感值及DCR 值可同時量測和顯示
自動組件分類:比較器功能及Handler 接口BIN 分類功能
內(nèi)建直流偏置電壓: -12到+12V
USB/ GPIB/ LAN/RS232 接口,實現(xiàn)快速自動化與數(shù)據(jù)存取功能
PC 聯(lián)機:數(shù)據(jù)分析軟件
超低功耗:< 30W,無風(fēng)扇設(shè)計,零噪音
探頭:鉑銥金電極
測試信號電壓范圍: 10mV - 2Vrms
電壓最小分辨率: 1mV
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