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價(jià)格:電議
所在地:北京
型號(hào):3H-2000PS
更新時(shí)間:2017-08-28
瀏覽次數(shù):1080
公司地址:北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國(guó)際1棟607號(hào)
黃成龍(先生) 區(qū)域經(jīng)理
吸附、脫附等溫線測(cè)定; BET比表面測(cè)定(單點(diǎn)/多點(diǎn)法);
朗格繆爾(Langmuir)比表面; 統(tǒng)計(jì)吸附層厚度法外比表面;
BJH法孔容孔徑分布; MK-plate法(平行板模型)孔容孔徑分布;
D-R法微孔分析; t-plot法(Boder)微孔分析;
H-K法(Original)微孔分析; MP法(Brunauer)微孔分析;
真密度測(cè)試; 粒度估算報(bào)告。
介孔材料靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀測(cè)試范圍:
比表面0. 0005m2/g至無上限;
孔徑:0.35-500 nm(微孔常規(guī)分析: 0. 35-2nm; 介孔分析: 2nm-50nm; 大孔分析: 50nm-500nm);
總孔體積:0.0001cc/g至無上限。
測(cè)量精度:
比表面積重復(fù)精度≤± 1.0%,可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm,真密度≤±0.04%;外表面積≤± 1.5%。
測(cè)試1個(gè)樣品和2個(gè)樣品的脫氣處理,并且樣品的測(cè)試過程和脫氣處理可同時(shí)進(jìn)行;測(cè)試系統(tǒng)和脫氣系統(tǒng)相互。
P0:具有的飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站,保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性。具有“普通加熱抽真空分子擴(kuò)散模式”和“分子置換模式”兩種可選功能;分子置換模式相對(duì)分子擴(kuò)散模式效率提高1倍以上,可節(jié)省一半以上的預(yù)處理時(shí)間,解決以往靜態(tài)法樣品制備時(shí)間長(zhǎng)的問題。
氣控閥:采用原裝進(jìn)口日本SMC氣控閥,徹底杜因電磁閥發(fā)熱產(chǎn)生的氣體受熱膨脹問題。
介孔材料靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀技術(shù):
l P0測(cè)試站
具有的飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站,保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性。
(靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀的飽和蒸氣壓測(cè)試裝置,:ZL201120136959.X)
l 軟硬件配合,徹底消除揚(yáng)析沸騰現(xiàn)象
貝士德的渦旋降塵原理的硬件防抽飛裝置,結(jié)合軟件防抽飛程序徹底消除易揮發(fā)樣品在高真空時(shí)的揚(yáng)析沸騰現(xiàn)象,從而避免了揮發(fā)物污染閥門管路后造成系統(tǒng)氣密性下降的情況。
(具有除塵防污染裝置的靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀,:ZL201320045881.X)
l 可選處理模式
具有外創(chuàng)的樣品預(yù)處理普通模式和分子置換模式兩種模式。
(靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀的凈化預(yù)處理裝置,:ZL201120136943. 9)
介孔材料靜態(tài)法比表面及孔徑分析儀測(cè)試報(bào)告:
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