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企業(yè)認(rèn)證： 
價(jià)格：電議
所在地：北京
型號(hào)：HQ37-a
更新時(shí)間：2024-07-24
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公司地址：北京市海淀區(qū)
錢工(先生)
我們深信未來(lái)是一個(gè)加智慧的世界，華測(cè)公司與合作伙伴一起，努力研發(fā)加高效的檢測(cè)系統(tǒng)以工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備，推動(dòng)中國(guó)新材料時(shí)代發(fā)展的進(jìn)程，推動(dòng)世界的進(jìn)步，并堅(jiān)信世界因我們而不同。
北京華測(cè)工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
1、工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要用于測(cè)量高壓工業(yè)緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測(cè)量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測(cè)量線路采用“正接法”即測(cè)量對(duì)地緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測(cè)量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測(cè)量材料介損方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測(cè)量
參數(shù)規(guī)格
1、測(cè)量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
在Cn＝100pF R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
固體緣材料測(cè)試電
本電適用于固體電工緣材料如緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對(duì)介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測(cè)試。本電主要用于頻率在工頻50Hz下測(cè)量試品的相對(duì)介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電的設(shè)計(jì)主要是參照國(guó)標(biāo)GB1409-2006。
本電采用的是三電式結(jié)構(gòu)，能有效的消除表面漏電流的影響，使測(cè)量電下的電場(chǎng)趨于均勻電場(chǎng)。
主要技術(shù)指標(biāo)
高低壓電之間距離：0～14mm可調(diào)
測(cè)量直徑：￠38±0.1mm
高壓電直徑：￠56±0.1mm
測(cè)量與保護(hù)環(huán)間隙為1±0.05
空tgδ：≤5×10-5
測(cè)試電壓：2kV
實(shí)驗(yàn)頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）
帶數(shù)字百分表測(cè)量范圍為0~12mm
制作技術(shù)指標(biāo)依據(jù)GB/T1303.2－－-2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專用插座（帶專用插頭）。
產(chǎn)品
1、主要用于測(cè)量高壓工業(yè)緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測(cè)量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測(cè)量線路采用“正接法”即測(cè)量對(duì)地緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測(cè)量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測(cè)量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測(cè)量
影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。
1）頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是性分子引起的偶子化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面化所引起的。
2）溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)至大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)至大值位置。
3）濕度
化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。
注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4）電場(chǎng)強(qiáng)度
存在界面化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)至大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。
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